Evde > Ürünler > Elektronik Yarım iletkenler > IRF7401TRPBF INFINEON N-Kanal MOSFET SO-8 20V 5.7A düşük direnç, yüksek akım yönetimi ve verimli anahtarlama

IRF7401TRPBF INFINEON N-Kanal MOSFET SO-8 20V 5.7A düşük direnç, yüksek akım yönetimi ve verimli anahtarlama

Üretici:
IR / Infineon
Açıklama:
IRF7401TRPBF N-Kanal MOSFET SO-8 20V 5.7A
Kategoriler:
Elektronik Yarım iletkenler
Stokta var:
1000000
IRF7401TRPBF.PDF
Özellikler
Türü:
N-Kanallı MOSFET
Vds (Boşaltma-Kaynak Gerilimi):
20V
Rds(açık) (Direnç Açık):
0,022Ω @ 4,5V
Kimlik (Sürekli Tahliye Akımı):
5.7A
Vgs(th) (Kapı Eşik Gerilimi):
1V - 3V
Qg (Toplam Geçit Yükü):
9,7nC @ 4,5V
Paket Türü:
Yüzey Montajı, SO-8
Çalışma Sıcaklığı Aralığı::
-55°C +150°C
Güç dağılımı:
2,5 W
uyma:
Rohs uyumlu
Tanıtım

Ürün Genel Görünümü

IRF7401TRPBF yüksek performanslı birN-Kanal MOSFETBu MOSFET, düşük direnç ve yüksek akım işleme kabiliyeti ile bilinen, güç yönetimi için idealdir.,yük değiştirme ve elektronik sistemlerde DC-DC dönüştürme.

Temel Özellikler

  • Düşük Bağlantı Direnci (Rds ((on)):0.022Ω4,5V'de, minimum güç kaybı ve yüksek verimliliği sağlar.
  • Yüksek drenaj kaynağı voltajı (Vds):20V., çok çeşitli düşük voltajlı uygulamalara uygundur.
  • Yüksek Sürekli Akış Akımı (Id):5.7A, önemli akım yüklerini kaldırma yeteneği sağlar.
  • Düşük Geçit Sınır Voltajı (Vgs(th)):1V ila 3V, kolay kontrol ve hızlı geçiş sağlıyor.
  • Toplam Geçit Ücreti (Qg):9.7nC 4.5V'de, düşük geçit tahrik gücünde verimli geçiş yapabilmenizi sağlar.
  • Kompakt Paket:SO-8yüzey montajı, kompakt ve alan kısıtlı tasarımlara kolay bir şekilde entegre edilmesini kolaylaştırır.
  • Geniş çalışma sıcaklık aralığı:-55°C - +150°CÇeşitli çevresel koşullarda güvenilir performans sağlar.
  • Yüksek Güç Kaydırılması:2.5W, cihazın aşırı ısınmadan önemli güç yüklerini ele almasına izin verir.
  • RoHS Uyumlu: Çevre düzenlemelerini karşılar, bu da çevre dostu tasarımlarda kullanılmaya uygun hale getirir.

Teknik özellikler

  • Türü: N-Kanal MOSFET
  • Vds (Drain-Source Voltage): 20V
  • Rds ((on) (On-Resistance): 0.022Ω @ 4.5V
  • Id (Sürekli Akış Akımı): 5.7A
  • Vgs(th) (Kapı Sınır Voltajı): 1V ila 3V
  • Qg (Toplam Kapı Ücreti): 9.7nC @ 4.5V
  • Paket Türü: Yüzey Montajı, SO-8
  • Çalışma sıcaklık aralığı: -55°C - +150°C
  • Güç Kaybedilmesi: 2.5W
  • Uygunluk: RoHS uyumlu

Uygulama Alanları

  • Güç Yönetimi: Enerji yönetimi devrelerinde kullanılmak için idealdir, verimli enerji dağıtımını ve kontrolünü sağlar.
  • Yük Değiştirme: Tüketici elektroniği ve endüstriyel ekipman dahil olmak üzere çeşitli elektronik uygulamalarda yükleri değiştirmek için uygundur.
  • DC-DC dönüşümü: Düşük direnç ve hızlı geçiş sağlayarak DC-DC dönüştürücülerinin verimliliğini ve güvenilirliğini arttırır.
  • Taşınabilir Cihazlar: Taşınabilir elektronik cihazlara entegre olmak için mükemmel, kompakt bir paket içinde yüksek performans sunar.
  • Otomotiv Elektronik: Sert ortamlarda bile otomotiv uygulamalarında güvenilir bir işleyişi sağlar.

Kurulum ve Kullanım

IRF7401TRPBF, yüzey montaj teknolojisi (SMT) için tasarlanmıştır.Basılı devreler (PCB)En iyi performansı ve güvenilirliği elde etmek için uygun kullanım ve yerleştirme çok önemlidir.

Satın Almak İçin Nedenler

IRF7401TRPBF'yi seçmek, bir yatırım yaptığınızı garanti eder.yüksek kaliteli N-Kanal MOSFETiledüşük direnç, yüksek akım işleme ve verimli anahtarlamaBu bileşen, elektronik devrelerinizin performansını ve güvenilirliğini artıracak,Uzun süreli ve verimli performans.

Enerji yönetimi ve anahtarlama uygulamalarınızı optimize etmek için bugün IRF7401TRPBF'yi satın alın!

Bizimle İletişim

Daha fazla bilgi veya teknik destek için lütfen web sitemizi ziyaret edin veya müşteri hizmetleri ekibimizle iletişime geçin.

RFQ gönder
stok:
1000000
Adedi: