T1G2028536-FL
![Kalite [#varpname#] Fabrika](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
Üretici:
Korvo
Açıklama:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Kategoriler:
Elektronik Yarım iletkenler
Özellikler
Transistör Polaritesi::
N-Kanal
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20.8 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - Power Dissipation ::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 275 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
Tanıtım
T1G2028536-FL, Qorvo'dan, RF JFET Transistörler'dir. Sunduğumuz parçalar dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahip, orijinal ve yeni parçalar.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
RFQ gönder
stok:
Adedi: