TGF2080
Özellikler
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 7 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11.5 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
0.41 mm x 0.34 mm x 0.1 mm
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 12 V
Kimlik - Sürekli Tahliye Akımı::
259mA
Manufacturer ::
Qorvo
Tanıtım
TGF2080, Qorvo'dan, RF JFET Transistörler'dir. Sunduğumuz parçalar dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahiptir.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
RFQ gönder
stok:
Adedi: