TGF2929-HM
Özellikler
Transistor Polarity ::
N-Channel
teknoloji::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Montaj Şekli ::
SMD/SMT
Gain ::
17.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
132 W
Package / Case ::
Flange Ceramic-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Id - Continuous Drain Current ::
7.2 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.8 V
Pd - Power Dissipation ::
140 W
Manufacturer ::
Qorvo
Tanıtım
TGF2929-HM, Qorvo'dan, RF JFET Transistörler. Teklif ettiğimiz şey, dünya pazarında rekabetçi fiyatlara sahip, orijinal ve yeni parçalar.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
RFQ gönder
stok:
Adedi: