NPT2022
![Kalite [#varpname#] Fabrika](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
Üretici:
MACOM
Açıklama:
RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
Kategoriler:
Elektronik Yarım iletkenler
Özellikler
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Ürün Kategorisi ::
RF JFET Transistörleri
Mounting Style ::
Screw
Kazanmak ::
21 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
24 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Tanıtım
MACOM'dan NPT2022, RF JFET transistörleridir. Sunduğumuz parçalar dünya piyasasında rekabetçi fiyatlara sahiptir.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
İlişkili Ürünler
MACOM Rf In Yarım iletken MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1.5 Ohm RF Yarım iletkenler 0.35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf In Yarım iletken MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1.5 Ohm RF Yarım iletkenler 0.35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: