1N26
![Kalite [#varpname#] Fabrika](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
Üretici:
ASI / Gelişmiş Semiconductor, Inc.
Açıklama:
PIN Diyotlar HERMETİK MÜHÜRLÜ, DO-37, 2PIN
Kategoriler:
Elektronik Yarım iletkenler
Özellikler
Packaging ::
Bulk
Product Category ::
PIN Diodes
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Tanıtım
ASI/Advanced Semiconductor, Inc.'den 1N26, PIN Diodudur. Sunduğumuz parçalar orijinal ve yeni.Ürünler hakkında daha fazla bilgi edinmek veya daha düşük bir fiyat talep etmek isterseniz, lütfen online sohbet yoluyla bizimle iletişime geçin veya bize bir teklif gönderin!
İlişkili Ürünler
MZ0912B50Y
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
MRF557T
RF Bipolar Transistors RF Transistor
UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
AGR21090EF
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
AGR18030EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
AGR18125EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
AGR09090EF
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
AGR19180EF
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
MZ0912B50Y |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
|
|
|
|
MRF557T |
RF Bipolar Transistors RF Transistor
|
|
|
|
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
|
|
|
|
AGR21090EF |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
|
|
|
|
AGR18030EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
|
|
|
|
AGR18125EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
|
|
|
|
AGR09090EF |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
|
|
|
|
AGR19180EF |
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
|
RFQ gönder
stok:
Adedi: